Potreste non ricordarlo, ma le memorie HBM (High-Bandwidth Memory) esistono già da un po’ come tecnologia.
Nel settore del Gaming se ne parlatava ormai da quasi 7 anni, quando venne annunciata la mostruosa AMD Radeon VII da ben 16GB di Vram HBM2 (nel lontano 2017), con la maggior parte di noi perplessa per la quantità assurda di memoria quando al tempo il top era considerato 8GB.
La tecnologia HBM è un tipo di architettura di memoria impilata, sviluppata per offrire una maggiore larghezza di banda ed efficienza per il calcolo ad alte prestazioni (HPC), un po’ analogo al caso della 3D V-cache presente sulle serie X3D dei processori Ryzen di AMD
Le memorie SK Hynix HBM3E a 12 strati (rispetto agli 8 strati delle HBM2) rappresenta quindi un’avanzamento tecnologico all’avanguardia nel campo delle memorie ad alte prestazioni specialmente per le applicazioni che richiedono un grande utilizzo di dati, soprattutto nel campo dell’intelligenza artificiale.
Caratteristiche principali di SK Hynix HBM3E a 12 strati:
- Alta densità e larghezza di banda: L’impilamento a 12 strati consente una maggiore densità di memoria, offrendo fino a 3GB per layer, da cui la possibilità dei 36GB.
- Alta larghezza di banda: L’HBM3E offre miglioramenti significativi nella larghezza di banda rispetto ai predecessori, permettendo fino a 1,2 TB/s per stack. Questo lo rende ideale per le GPU, CPU e acceleratori AI di prossima generazione che necessitano di un’enorme capacità di trasferimento dati.
- Packaging avanzato: L’HBM3E a 12 strati utilizza tecniche avanzate di packaging 3D come i Through-Silicon Vias (TSV) per collegare gli strati di memoria. I TSV aiutano a ridurre la latenza e il consumo di energia, aumentando al contempo la velocità di trasferimento dei dati.
- Minore consumo energetico: Nonostante l’elevata larghezza di banda, la memoria HBM (compresa l’HBM3E) è nota per la sua efficienza energetica. Occupa uno spazio fisico molto più ridotto rispetto alle soluzioni di memoria tradizionali come la GDDR, il che si traduce in un minore consumo energetico a parità di prestazioni.
- Applicazioni target: L’HBM3E è particolarmente adatta per l’addestramento dei modelli di intelligenza artificiale, i compiti di supercalcolo e altre applicazioni che richiedono un’enorme larghezza di banda di dati. Può anche supportare gaming, cloud computing e sistemi di guida autonoma, dove l’elaborazione dei dati in tempo reale è cruciale.
- Posizione competitiva: Con questo avanzamento, SK Hynix continua a rafforzare la sua posizione come leader nel mercato dei semiconduttori di memoria, spingendo i limiti dell’architettura e delle prestazioni della memoria.
Potremo trovare questa nuova tecnologia di memorie entro l’inizio del prossimo anno, con le serie NVIDIA Blackwell Ultra e AMD Instinc MI325X listate con capacità di Vram fino a 288 GB.
